Les mélanges de gaz électroniques sont largement utilisés dans la production de circuits intégrés à grande échelle (LSI), de circuits intégrés à très grande échelle (VLSI) et de dispositifs à semi-conducteurs. Ils sont principalement utilisés dans l'épitaxie en phase gazeuse (production), le dépôt chimique en phase vapeur, le dopage (diffusion d'impuretés), divers procédés de gravure et d'implantation ionique.
Pas de résumé électronique des mélanges de gaz
1. Dichlorosilane (DCS) 5 000 ppm+N2 ; Dichlorosilane (DCS) 15 ppm+N2
2 dichlorosilane (DCS) 10 ppm+trichlorosilane (TCS) 10 ppm+hélium
3 HCI 50 ppm+dichlorosilane (DCS) 1000 ppm+équilibre He
4 Silane 1 %+Dichlorosilane (DCS) 1 %+Trichlorosilane (TCS) 1 %+Tétrachlorosilane 1 %+Azote
5 Silane 50 ppm+Trichlorosilane (TCS) 1000 ppm+He
6 Trichlorosilane (TCS) 15 ppm+N2
7 Éthylsilane (Si2H4) 100 ppm ~ 200 ppm + H2
8 Éthylsilane 10 ppm+He
9 CO2 5 ppm+silane 135 ppm+éthylsilane 1000 ppm+He
10SiH4 5ppm~15%+Ar (H2/N2/He)
11 H2 5 ppm + Ar 5 ppm + N2 5 ppm + CO 5 ppm + CH4 5 ppm + Equilibre He de CO2 5 ppm + silane 1000 ppm
12 Éthylborane 50-100 ppm+H2
13 Arsénane 100 ppm ~ 0,7 % + H2
14 germanane 1%~10%+H2
15 Trichlorure de bore 1%~5%+N2 (He)
16 PH3 0,8 ppm ~ 500 ppm + He (H2)
17 HCI 9 ppm~50 %+N2
18 NF3 99,99 % 180 g ~ 1 500 g
19 NF3 20 ppm ~ 30 ppm + Air
20 NF3 15 ppm+N2
21 CF4 80%+O2
22Ar 5ppm~80%+Ne (H2/He/N2)
DKK 23 8% ~ 50% + an
24 Non 80%~97%+Ar
